场效应管工作原理

场效应管（英语：FieldEffectTransistor缩写：FET，又称功率场效应晶体管、电力电子器件。它是一种利用控制电流通过半导体沟道形成电场，并使用电场控制载流子移动来实现信息传递的半导体器件）是由多数载流子参与导电的一种特殊二极管。其特点是输入电阻高、功耗低、动态范围大以及能够驱动较大功率的电路。本词条由“科普中国”科学百科词条编写与应用工作项目审核。

发展历史1906年德国物理学家德布罗意提出用结型场效管实现交流电输入和输出的设想。1913年德国人基尔霍夫第一个PN结型三极管，1917年美国贝尔实验室的肖克莱了第一只N沟道场效应晶体管，从而开创了微电子学的新时代。20世纪50年代以来，随着集成?

组成原理，基本结构，场效应管的内部是由许多晶粒组成的p-n结界面层构成的高阻区称为源区或漏极Drainage

area，也称为耗尽层或depletionlayer（DFL）。在漏源交界的两侧形成两个电极区域称为发射区和集电极Collectorarea或collectorfield（CF）。当外加正向电压Vf时，由于P-N结两边载流的增加使势垒变薄而出现沟道而开始导电。